퀄콤 스냅드래곤 835, 퀵차지 4.0 5분 충전 5시간 사용
퀄컴은 실제로 디바이스에서 사용이 가능한 하이엔드 시스템 칩을 최근에 발표했죠. 바로 스냅 드래곤 835입니다. 이 스냅 드래곤 835 는 삼성전자 10나노 핀펫(FinFET) 파운드리 공정으로 생산된다고 합니다. 삼성전자는 이미 10나노 핀펫 공정 양산 체제를 가동하고 있는데요, 새로운 변화를 가져올 10나노는 이전 14나노와 비교해 27% 높은 성능, 최대 40% 개선된 전력 소모량을 보여, 동일 트랜지스터 숫자라면 칩 면적도 30% 줄일 수 있게 됩니다. 10나노 핀펫 공정으로 생산된 스냅드래곤 835는 칩 면적을 크게 줄여 한계성이 있는 배터리 공간을 쉽게 늘릴 수 있게 됩니다.
특히나 퀄컴 스냅드래곤 835의 출시와 함께 주목을 받고 있는 것은 바로 삼성전자의 모바일 차기작인 갤럭시S8 시리즈가 바로 퀄컴스냅드래곤 835를 탑재할 것으로 알려졌기 때문입니다. 물론 그 외에도 하나 더 모바일 장치에 대한 게임체인저(game-changer)의 역할을 할 수 있는 발표가 있었는데, 바로 퀵차지 4.0(QuickCharge 4.0) 기능입니다.
새로운 퀵차지 4.0(QuickCharge 4.0) 기술은?
고속 충전 구현에 퀄컴 테크놀로지의 기존 리더십에 구축, 퀵차지4.0은 이전 세대보다 더 빨리 충전하고, 높은 효율을 제공함으로써 우수한 충전 솔루션을 제공하도록 설계되었습니다. 전형적인 프리미엄 폰 사용자의 경우, 퀵차지4.0을 이용하여 5분 충전으로 스마트폰을 5시간 이상 사용할 수 있도록 설계되어 있다고 합니다.
퀵차지3.0과 비교했을 때, 듀얼 차지, 퀄컴 테크놀로지의 병렬 충전 기술을 사용하여, 사용자는 20 % 더 빠른 충전까지 즐길 수 있으며, 30 %의 높은 효율까지 기대할 수 있다고 합니다. 퀵차지4.0은 케이블 및 어댑터의 넓은 다양성에 업계에서 가장 인기있는 배터리 충전 솔루션을 사용할 수 있도록 USB 타입-C 및 USB-PD 지원을 통합할 수 있습니다.
퀵차지4.0의 INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage : 지능형 최적전압관리), 퀄컴 기술에 의해 설계된 퀄컴 고유의 전력 관리 알고리즘의 세 번째 버전을 포함하고 있습니다. 이 지능형 최적전압관리(INOV)는 현재 실시간 온도 관리, 자동으로 결정하고 소정의 열 조건을위한 최적의 전송 전력 레벨을 선택하여 최적의 충전 진행하도록 설계된 제 기술 산업을 포함합니다.
퀵차지4.0은 충전과 관련한 경험을 바탕으로 일관성을 제공하기 위해 어댑터와 모바일 디바이스 두가지 모두 진보 된 안전 기능이 제공됩니다. 보호 전지 시스템, 케이블 및 커넥터를 보호하면서보다 정확한 전압, 전류 및 온도를 측정하기 위하여 여러 레벨에서 전체 충전 과정을 통해 구현됩니다. 추가적인 보호 층은 또한 배터리 과충전 방지마다 충전 사이클 내내 전류 조절하는 데 도움이 추가되고 있습니다.
퀵차지4.0 갤럭시S8 적용될까?
퀄콤과 삼성전자가 손을 합쳐서 내년 상반기에 스냅드래곤 835를 양산하고, 갤럭시S8에는 이 스냅드래곤 835가 채택이 될 것이라는 가정을 바탕으로 한다면 퀵차지4.0 기술도 같이 갤럭시S8에 적용될 가능성이 있습니다. 올해 배터리 폭발로 문제가 되었던 갤럭시노트7에 대한 문제점들을 하나씩 해결할 수 있을 것으로 보입니다. 또한 전체적은 성능의 업그레이드는 물론 발열과 전력문제도 점차 안정화 하는데 크게 기여를 할 것으로 보입니다. 다양한 기능들이 들어갈 갤럭시S8가 벌써 기다려집니다.
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